第四百六十三章 运动统计方程（2 / 2）

硅基半导体起步就是单晶硅，以前技术不达标，市面上也高过多晶硅和非晶硅的，但这俩玩意相比单晶硅来说，缺陷密度实在太高，在单晶硅生产技术和制造成本下降之后，这年头搞硅基半导体产业的基本都在做单晶硅。

不过嘛，有些客户因为种种原因，非要买多晶硅或是非晶硅的产品，也是可以理解的。

作为纯净度最高的基底单晶硅，假设其内部无缺陷，每立方厘米的原子密度约为五乘以十的二十二次方。

这玩意一看就知道了，和铁单质的情况差距不大。

再看实际工作的半导体结构，目前的民用制程普遍在3nm左右（应该？），其结宽度假设为3nm。别说十的十八次方的异常了，就算十的十九次方的异常，这玩意在3nm的结构里也不显眼啊。

更别说这玩意也没有这么多的可移动电子供“运动统计”方程使唤，常温常压下，一个立方厘米的本征硅半导体，也就只有十的十次方个电子可看做自由移动的。

就算这玩意全都按某一方向神秘地运动吧，落在3nm结构里头，太低了，太低了。

由此可见，对过去物理界所熟悉的微观物质来说，无论是考虑其宏观现象还是考虑其工业微观现象，运动统计方程都可以抹去少量粒子的奇异运动，实现大差不差的需求。

dengbidmxswqqxswyifan

shuyueepzwqqwxwxsguan

xs007zhuikereadw23zw