第115章 故布疑阵！（2 / 2）

“张先生，目前我们尔英特集团并没有在贵国投资建设先进晶圆生产线的计划。”

鲍尔森开口道。

“鲍尔森先生，难道尔英特集团不想击败萨米桑集团和拓西巴集团这些 NAND闪存芯片强者，成为这个市场领域的新王者吗？”

张君正微笑着说道：“我们君正科技公司设计研发的这种电荷捕获型闪存芯片产品技术潜力空间可比现有的 NAND闪存芯片更大，如果我们两家公司合作研发更大容量的3D堆栈式闪存芯片产品，这种存储产品将完全改写现有的存储产品市场格局。”

“张先生，你们君正科技公司现在在设计研发更大容量的3D堆栈式闪存芯片产品？”

帕特吉尔森格此时震惊地看着张君正问道。

现阶段根本没有哪一家闪存芯片厂商提出过这种3D堆栈式架构闪存芯片技术概念，包括尔英特集团在内的闪存芯片大厂更多还是在设计研发2D平面架构闪存芯片。

“这个原本是我们公司内部的技术机密，不过既然帕特吉尔森格先生非常难得来我们公司进行访问，我觉得不妨将这方面的设计内容说出来，希望贵公司的技术团队能和我们一起努力，加快这方面的技术研发进度，让这种存储芯片产品早点推出。”

张君正笑吟吟地说道。

“……”

帕特吉尔森格和鲍尔森等一众人员此时面面相觑。

“张先生，你提出的这种3D堆栈式架构闪存芯片技术方案我们现在还无法确定技术可能性……”

帕特吉尔森格此时突然被张君正塞过来一个从未有过的闪存芯片新技术概念，弄得他此时有些半信半疑。

“没关系，贵集团对我们公司的这种设计概念持怀疑态的话，可以召集众多的科学家和技术专家进行这方面的研究后再做决定也不迟。”

张君正一脸神秘笑意地说道。

去年他就向刘希轮和邱梦生提出了把存储阵列和外围电路分开来进行设计加工和垂直互联和堆栈式方面的设计构想，现在君正科技公司内部在实验室里面进行这种架构设计方面的研究。

张君正提出来的这些设计概念和原理已经得到了验证，君正科技公司方面不久前也申请了相关的技术专利。

而邱梦生带领的技术团队和君正科技公司的技术团队现在正在为这种架构设计研发硅穿孔互联工艺和晶圆键合方面的工艺技术。

张君正此时更多地是故布疑阵，让尔英特集团的这位三号人物和下面一众技术高管心理产生动摇。

“张先生，如果你们君正科技公司向我们尔英特集团授权这种新型SONOS晶体管架构闪存芯片技术专利，我们可以在京都市这边投资建设这种十二英寸晶圆生产线和封测工厂。”

帕特吉尔森格在思索了一会儿后开口说道。

“帕特吉尔森格先生，你做出的这个决定是非常正确且有远见的。”

张君正笑着说道：“目前我们国内高速USB闪存盘产品非常有技术优势，产销量非常大，对大容量闪存芯片产品需求量很大，此时尔英特集团在我们国内投资建设这样的专用生产线时机再好不过了。”